光伝送用分布増幅型アナログICの設計法
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
将来のマルチメディア社会を支える情報ネットワークには、よりいっそうの大容量化が求められている。光伝送システムの大容量化、高速化のために、分布増幅型回路設計法をベースバンド増幅器と分配回路に適用し、等価増幅系ICの広帯域化構成法について検討した。さらに、系の直流結合を可能にするレベルシフト回路、SCFLレベル変換回路についても分布型回路設計法の適用を試みた。ゲート幅0.2μmのGaAs MESFETによる試作ICの評価結果は広帯域な特性を示し、概ね40Gbit/s級ICとしての特性を満足することができたが、群遅延特性が帯域特性に比べて改善の余地があることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-20
著者
-
今井 祐記
Nttエレクトロニクス株式会社
-
菊池 博行
Nttエレクトロニクス
-
菊池 博行
NTT光ネットワークシステム研究所
-
木村 俊二
Ntt未来ねっと研究所
-
木村 俊二
NTT光ネットワークシステム研究所
関連論文
- インピーダンス整合フリップチップ実装を用いた40Gbit/s光受信モジュールの受信特性
- C-12-5 マルチチップモジュール技術を用いた40Gbit/sデータディテクタ
- 3次元配線を用いた0〜56GHzゲートライン分割型分布べースバンド増幅器 IC
- 40 GHz分布ベースバンドアンプモジュール
- 導波路型pin-PDと分布型増幅器のモノリシック集積による30 Gbit/s受信OEIC
- 導波路型pin-PDと分布型増幅器のモノリシック集積による30 Gbit/s受信OEIC
- 30Gbit/s導波路型pin-PD/分布型増幅器-受信OEIC
- B-10-64 40Gbit/s TDM送受信プロトタイプを用いた160 Gbit/sWDM伝送実験
- 多層配線構造GaAs MESFETを用いた50GHz帯域ベースバンド増幅器モジュール
- フリップチップ実装を用いた超高速GaAs MESFET ICモジュール
- フリップチップ実装を用いた超高速GaAs MESFET ICモジュール
- 3次元配線を用いた全域透過型分布ベースバンド増幅器IC
- C-3-124 単一走行キャリアフォトダイオードとInP HEMT識別回路からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール
- 40 GHz級リミッタ増幅器モジュール
- C-10-23 InP HEMTを用いた40GHz級リミッタ増幅器IC
- 光伝送用分布増幅型アナログICの設計法
- 光伝送用分布増幅型アナログICの設計法
- 光伝送用分布増幅型アナログICの設計法
- 多給電構成を用いた40GHz帯域高利得分布型増幅器ICモジュール
- 3次元配線を用いた0〜80GHzソースライン分割型分布直流レベルシフトIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/sフリップチップ信号分配モジュール
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- 超広帯域集積回路・モジュ-ル設計技術 (〔特集〕超高速化合物半導体IC技術)
- 分布型SCFLレベル変換器付き分布ベースバンド増幅器IC
- 分布型直流レベルシフト回路を用いた2段分布ベースバンド増幅器IC
- 0〜40 GHz GaAs MESFET分布型信号分配IC
- DC〜40GHz GaAs MESFET 分布ベースバンド増幅器 IC
- 16dB,DC〜50GHz InAlAs/InGaAs HEMT損失補償型分布ベースバンド増幅器IC
- DC〜60GHz帯InAlAS/InGaAs HEMT低損失型分布ベースバンド増幅器IC