3次元配線を用いた0〜56GHzゲートライン分割型分布べースバンド増幅器 IC
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
超広帯域光伝送システムの等化増幅器として、分布型べースバンド増幅器の構成法についてこれまで報告してきた。今回は入力側反射特性を高周波帯で改善する「ゲートライン分割型」構成法と、高周波回路のフリップチップ実装に適合した3次元配線構造を用いて分布ぺースバンド増幅器を設計する手法について述べる。ゲート長0.1μmのGaAs MESFETを用いた試作評価結果は、0〜56GHzの帯域を示し、GaAsMESFETの分布増幅器の帯域最大値を更新したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
山口 聡
工学院大学工学部電子工学科
-
今井 祐記
Nttエレクトロニクス株式会社
-
今井 祐記
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
山口 聡
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
木村 俊二
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
小野寺 清光
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
小野寺 清光
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
木村 俊二
Ntt未来ねっと研究所
関連論文
- C-10-15 BCB多層配線プロセスを用いたマイクロ波線路の特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- インピーダンス整合フリップチップ実装を用いた40Gbit/s光受信モジュールの受信特性
- 0.1μm級GaAs MESFETを用いた超高速識別器IC
- 超高速IC用の多層配線を用いた0.1μmセルフアラインゲートGaAs MESFET
- A-21-36 13.56MHz帯RFIDを用いた自動改札システムロングレンジ化実現性の検討(A-21.センサネットワーク,一般講演)
- C-12-5 マルチチップモジュール技術を用いた40Gbit/sデータディテクタ
- InP HEMTを用いた46 Gb/sスーパーダイナミック型識別回路モジュール
- 3次元配線を用いた0〜56GHzゲートライン分割型分布べースバンド増幅器 IC
- 40 GHz分布ベースバンドアンプモジュール
- InP HEMTによる40Gbit/s MUX/DEMUX モジュール
- 光通信システム用超高速ICに適した新しいモジュール構造
- 超高速ディジタルICへの多層配線構造の適用
- IMSL-IC構造の超高速ディジタルICへの適用
- 3次元マイクロ波回路解析プログラムの評価有限要素法と差分時間領域法
- 超広帯域IC用インバーテッドマイクロストリップ配線構造
- 導波路型pin-PDと分布型増幅器のモノリシック集積による30 Gbit/s受信OEIC
- 導波路型pin-PDと分布型増幅器のモノリシック集積による30 Gbit/s受信OEIC
- 30Gbit/s導波路型pin-PD/分布型増幅器-受信OEIC
- InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETを用いたミリ波帯増幅器
- 多層配線構造GaAs MESFETを用いた50GHz帯域ベースバンド増幅器モジュール
- フリップチップ実装を用いた超高速GaAs MESFET ICモジュール
- フリップチップ実装を用いた超高速GaAs MESFET ICモジュール
- 感光性BCBを用いた3次元MMIC配線プロセス技術
- マスタスライス型3次元ミリ波MMICの検討
- 超小型3次元MMIC用配線形成技術
- 超小型3次元MMIC用配線形成技術
- 超小型3次元MMIC用配線形成技術
- 3次元配線を用いた全域透過型分布ベースバンド増幅器IC
- C-3-124 単一走行キャリアフォトダイオードとInP HEMT識別回路からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール
- 40 GHz級リミッタ増幅器モジュール
- C-10-23 InP HEMTを用いた40GHz級リミッタ増幅器IC
- 光伝送用分布増幅型アナログICの設計法
- 光伝送用分布増幅型アナログICの設計法
- 光伝送用分布増幅型アナログICの設計法
- 多給電構成を用いた40GHz帯域高利得分布型増幅器ICモジュール
- 3次元配線を用いた0〜80GHzソースライン分割型分布直流レベルシフトIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/sフリップチップ信号分配モジュール
- C-2-46 信号線下を掘込んだグランドコプレーナ線路2
- C-2-77 鉛フリーはんだを用いたフリップチップ実装の高周波特性2 : バンプ電極径依存性
- C-2-35 信号線下を掘込んだグランドコプレーナ線路
- 0.1μm GaAs MESFETのしきい値電圧高均一化
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- 高バイアスAlGaN/GaN HEMTの自己発熱評価
- 超広帯域集積回路・モジュ-ル設計技術 (〔特集〕超高速化合物半導体IC技術)
- 0.1μm級ゲートGaAs-MESFETを用いたミリ波帯増幅器
- MMIC用二重LDD型H-MESFET
- 分布型SCFLレベル変換器付き分布ベースバンド増幅器IC
- 分布型直流レベルシフト回路を用いた2段分布ベースバンド増幅器IC
- 0〜40 GHz GaAs MESFET分布型信号分配IC
- DC〜40GHz GaAs MESFET 分布ベースバンド増幅器 IC
- 16dB,DC〜50GHz InAlAs/InGaAs HEMT損失補償型分布ベースバンド増幅器IC
- DC〜60GHz帯InAlAS/InGaAs HEMT低損失型分布ベースバンド増幅器IC