DC〜60GHz帯InAlAS/InGaAs HEMT低損失型分布ベースバンド増幅器IC
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概要
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将来の超高速光伝送用増幅器として、従来の集中定数型ベースパンド増幅器に代わる分布型ベースパンド増幅器についてこれまで報告してきた。入出力回路の損失を軽減する低損失フィルタ回路構成法と、分布増幅器の低周波特性を補償する周波数依存型終端回路構成法について既に報告したが、今回はこの回路構成を、優れた高周波特性と低雑音特性をもつInAlAS/InGaAs HEMTを用いて試作評価した。その結果、S21=9[dB]、3dB帯域60GHzという特性が得られたが、高周波帯で設計値と評価結果の周波数特性に差異が生じた。これらが回路パターンの形状に起因する寄生効果であることを明らかにしたので、試作結果とあわせて報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
今井 祐記
Nttエレクトロニクス株式会社
-
楳田 洋太郎
NTT LSI研究所
-
今井 祐記
NTT LSI研究所
-
木村 俊二
Ntt未来ねっと研究所
-
木村 俊二
NTT LSI研究所
-
恒木 考知
NTT LSI研究所
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