超広帯域IC用インバーテッドマイクロストリップ配線構造
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概要
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前前回,我々は超広帯城ICの新たな配線構造として,図1の超高速IC用インバーテッドマイクロストリップ(以下IMSLと略す)配線構造を提案した[1].従来のコプレーナ線路構造と比較した本配線構造の特徴は以下の点にある.1.最上層配線をマイクロストリップ線路のグランドとして活用,十分大きな面積とすることで,グランドインピーダンスの低下による安定な回路動作が期待できる.2.半田パンプを用いたフェースダウン実装時のインビーダンス低下を防げる.3.マイクロストリップ,もしくはトリプレート線路構成の適用により,高いアイソレーションの確保が可能となり,同等の回路性能ならば面積が縮小できる.4.従来技術では面積の点から困難であった,集積度の高いディジタルICへの受動回路の応用が期待できる.また,面積縮小は実装時のキャビティ抑制にも有効である.今回は,提案した配線構造のアイソレーション特性の評価,および受動回路を構成した場合に,特性を良好に保ちつつどの程度まで回路面積を低下できるのかを確認するために,受動素子による線路,機能回路の試作評価を行ったので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
山口 聡
工学院大学工学部電子工学科
-
今井 祐記
Nttフォトニクス研究所
-
今井 祐記
NTT LSI研究所
-
山口 聡
NTT LSI研究所
-
令井 祐記
NTT LSI研究所
-
柴田 随道
NTT LSI研究所
-
平野 真
NTT LSI研究所
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