今井 祐記 | Nttエレクトロニクス株式会社
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概要
関連著者
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今井 祐記
Nttエレクトロニクス株式会社
-
木村 俊二
Ntt未来ねっと研究所
-
菊池 博行
Nttエレクトロニクス
-
菊池 博行
NTT光ネットワークシステム研究所
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木村 俊二
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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尾辻 泰一
Ntt 光ネットワークシステム研究所
-
尾辻 泰一
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
今井 祐記
Nttフォトニクス研究所
-
米山 幹夫
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
恒次 秀起
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
今井 祐記
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
今井 祐記
NTT LSI研究所
-
令井 祐記
NTT LSI研究所
-
木村 俊二
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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木村 俊二
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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木村 俊二
NTT LSI研究所
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尾辻 康一
九州工大
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楳田 洋太郎
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研究所
-
楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研
-
加藤 和利
NTT光エレクトロニクス研究所
-
加藤 和利
Nttフォトニクス研究所
-
恒次 秀起
日本電信電話株式会社 Ntt通信エネルギー研究所
-
村田 浩一
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
木村 俊二
NTT光ネットワークシステム研究所
-
楳田 洋太郎
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
村本 好史
Nttフォトニクス研究所
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山口 聡
工学院大学工学部電子工学科
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宮本 裕
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
深野 秀樹
NTT光エレクトロニクス研究所
-
平野 真
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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高畑 清人
Ntt フォトニクス研
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野口 一人
Ntt光エレクトロニクス研究所
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深野 秀樹
NTTフォトニクス研究所
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高畑 清人
NTT光エレクトロニクス研究所
-
村本 好史
NTT光エレクトロニクス研究所
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中島 長明
NTT光エレクトロニクス研究所
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幸前 篤郎
NTTエレクトロニクス
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楳田 洋太郎
NTT LSI研究所
-
山口 聡
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
榎木 孝知
NTT システムエレクトロニクス研究所
-
米山 幹夫
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
幸前 篤郎
NTT光エレクトロニクス研究所
-
宮本 裕
Ntt 光ネットワークシステム研
-
尾辻 泰一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
-
今井 祐記
NTT エレクトロニクステクノロジー
-
山口 聡
日本テレマティーク株式会社
-
小野寺 清光
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
柴田 随道
NTT LSI研究所
-
小野寺 清光
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
山根 康朗
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
菊地 博行
NTT光ネットワークシステム研究所
-
菊池 博行
NTT システムエレクトロニクス研究所
-
木村 俊二
NTT システムエレクトロニクス研究所
-
榎木 孝和
NTT LSI研究所
-
恒木 考知
NTT LSI研究所
著作論文
- インピーダンス整合フリップチップ実装を用いた40Gbit/s光受信モジュールの受信特性
- C-12-5 マルチチップモジュール技術を用いた40Gbit/sデータディテクタ
- 3次元配線を用いた0〜56GHzゲートライン分割型分布べースバンド増幅器 IC
- 40 GHz分布ベースバンドアンプモジュール
- 導波路型pin-PDと分布型増幅器のモノリシック集積による30 Gbit/s受信OEIC
- 導波路型pin-PDと分布型増幅器のモノリシック集積による30 Gbit/s受信OEIC
- 30Gbit/s導波路型pin-PD/分布型増幅器-受信OEIC
- 多層配線構造GaAs MESFETを用いた50GHz帯域ベースバンド増幅器モジュール
- フリップチップ実装を用いた超高速GaAs MESFET ICモジュール
- フリップチップ実装を用いた超高速GaAs MESFET ICモジュール
- 光伝送用分布増幅型アナログICの設計法
- 光伝送用分布増幅型アナログICの設計法
- 光伝送用分布増幅型アナログICの設計法
- 多給電構成を用いた40GHz帯域高利得分布型増幅器ICモジュール
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/sフリップチップ信号分配モジュール
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- 超広帯域集積回路・モジュ-ル設計技術 (〔特集〕超高速化合物半導体IC技術)
- 分布型SCFLレベル変換器付き分布ベースバンド増幅器IC
- 分布型直流レベルシフト回路を用いた2段分布ベースバンド増幅器IC
- 0〜40 GHz GaAs MESFET分布型信号分配IC
- DC〜40GHz GaAs MESFET 分布ベースバンド増幅器 IC
- 16dB,DC〜50GHz InAlAs/InGaAs HEMT損失補償型分布ベースバンド増幅器IC
- DC〜60GHz帯InAlAS/InGaAs HEMT低損失型分布ベースバンド増幅器IC