InAlAs/InGaAs/InP HEMT雑音特性のデバイスパラメータ感度解析

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概要

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将来のMMICバイアス無調整化を想定して、設計電源電圧における、無限段接続最小雑音指数(F_∞,min>)のInAlAs, InGaAs HEMTショットキ接触層厚(d_u)の設計値からの誤差に対する感度を、物理デバイスモデルを使った真性FETの等価回路・雑音パラメータの解析的導出手法と、雑音相関行列を用いた外部FETパラメータの回路的合成手法を結合させることにより求めた。その結果、d_uの薄層化は設計中心におけるF_∞,min>の低減に有効であることがわかった。また、ゲート電圧を固定した場合、F_∞,min>に対するd_uの感度はd_uを薄層化した方が小さいことがわかった。さらに、d_uの設計値からの変化による増幅器雑音増加の主要因は、ミスマッチの増大によるものでなく、デバイス単体自体のF_∞,min>の増大にあることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-01-21

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