InGaAs/InAlAs/InP HEMTによる80Gbit/s動作の2:1マルチプレクサIC
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
InP系HEMTにより超高速動作の2:1信号多重化器 (マルチプレクサ) ICを開発した。低誘電材料を層間絶縁膜とする金2層配線プロセスを導入し、1層グランド/2層信号配線とするマイクロストリップ線路 (MSL) を高速信号のセル間配線に導入した。MSL構造は信号伝搬速度を向上できるとともに、内部論理回路の出力インピーダンスと線路インピーダンスの整合度を格段に向上できる。これにより、従来配線では60Gbit/s以上の動作領域で回路速度律速要因となっていた信号多重反射に起因する信号波形歪みを大幅に低減することが可能となった。本配線技術を導入した試作ICをオンウェハー評価した結果、80Gbit/sの世界最高速動作を達成した。従来配線による前試作 (64Gbit/s動作) に比して20%の速度向上を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-23
著者
-
楳田 洋太郎
NTT システムエレクトロニクス研究所
-
榎木 孝知
NTT システムエレクトロニクス研究所
-
尾辻 泰一
Ntt 光ネットワークシステム研究所
-
尾辻 泰一
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研究所
-
楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社
-
村田 浩一
NTT 光ネットワークシステム研究所
-
楳田 洋太郎
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
尾辻 康一
九州工大
関連論文
- 光学励起グラフェンによるコヒーレントテラヘルツ放射の観測(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- プラズモン共鳴型エミッタのマルチチップ動作によるテラヘルツ分光測定(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- プラズモン共鳴テラヘルツエミッター光パルス応答のモンテカルロ解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- グラフェンデバイスの開発と今後の展望(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- C-10-12 BCB層間膜配線とInP系HEMTを用いたSCFLスタティック分周器
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- BCB層間膜を用いた配線の高速伝播特性
- C-10-5 プラズモン共鳴型エミッタにおける光励起テラヘルツ波放射(C-10.電子デバイス,一般講演)
- CS-11-7 2次元プラズモン共鳴効果によるテラヘルツ波発生(CS-11.テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望,シンポジウム)
- IEEE MTT-S 1999国際マイクロ波会議出席報告(マイクロ波電力応用/一般)
- IEEE MTT-S 1999国際マイクロ波会議出席報告
- 縦型共振器構造を有するInGaP/InGaAs/GaAsプラズモン共鳴フォトミキサーにおける室温テラヘルツ帯電磁波放射(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-4-3 二重格子状ゲート電極を有する高電子移動度トランジスタ構造における二次元プラズモン共鳴を利用したテラヘルツ電磁波の強度変調(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ナノメートルサイズトランジスタにおける2次元プラズマ発振を利用した放射・検出とそれらのテラヘルツイメージングへの応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-8 HEMT光パルス応答のモンテカルロ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-13 グラフェンFETを用いたディジタル回路の性能予測(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 高誘電体薄膜特性のミリ波帯における高精度測定
- ヨーロッパマイクロ波会議(EuMC'95)出席報告
- 0.1μm級GaAs MESFETを用いた超高速識別器IC
- 超高速IC用の多層配線を用いた0.1μmセルフアラインゲートGaAs MESFET
- p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
- p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 光電気融合技術による超高速光アイパタン測定
- 10-80 Gb/s光電気融合型パルスパターン発生とその高速電子デバイス評価への応用
- 導波路型p-i-nPD搭載光電気変換プローブの低分散化
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-10-13 多層配線構造を有するGaAs MESFETを用いた分布型セレクタIC
- 0.15μm GaAs MESFETを用いた40Gbit/s識別器IC
- MQW変調器集積DFBレーザモジュールの40Gbit/S変調動作
- CI-2-5 グラフェンによるテラヘルツ波源(CI-2.テラヘルツ波源デバイスの現状と展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-12-5 マルチチップモジュール技術を用いた40Gbit/sデータディテクタ
- InP HEMTを用いた46 Gb/sスーパーダイナミック型識別回路モジュール
- InP HEMTによる40Gbit/s MUX/DEMUX モジュール
- IMSL-IC構造の超高速ディジタルICへの適用
- C-10-7 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 等化増幅系における周波数特性の非平坦性が符号誤り率に及ぼす影響
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- InGaAsチャネルHEMTにおける真性・寄生遅延の解析
- InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-13 半導体2次元プラズモン回折格子を利用したテラヘルツ電磁波強度変調デバイス(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-10 両極性電界効果トランジスタを用いた論理回路の解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-4-7 二次元共鳴プラズモンを利用したテラヘルツ帯光源デバイス(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- グラフェンデバイスの開発と今後の展望(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- C-10-7 新構造InGaP/InGaAs/GaAsプラズモン共鳴型フォトミキサーによる室温テラヘルツ電磁波放射(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-9 超周期回折格子型ゲート電極を有するプラズモン共鳴型エミッターの数値解析的検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- CS-5-1 ミリ波・テラヘルツ波電子デバイス技術の動向(CS-5.マイクロ波・ミリ波フォトニクスを支えるデバイス・サブシステム技術,シンポジウムセッション)
- C-10-3 プラズモン共鳴型エミッターに及ぼすプラズマ不安定性の影響(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望(学生/教養のページ)
- テラヘルツ波領域におけるメタマテリアルの応用
- B-10-64 40Gbit/s TDM送受信プロトタイプを用いた160 Gbit/sWDM伝送実験
- 1.25Gb/s PON用高速応答バースト光受信IC(VLSI一般(ISSCC2005特集))
- C-12-16 1.25Gbit/sバースト対応高感度プリアンプIC(C-12. 集積回路C(アナログ), エレクトロニクス2)
- C-12-15 1.25 Gb/s PONシステム対応バーストモード光受信器(C-12. 集積回路C(アナログ), エレクトロニクス2)
- B-10-89 1.25 Gbit/s PON OLT用光送受信モジュール(B-10. 光通信システムB(光通信), 通信2)
- HEMTのテラヘルツ帯プラズマ共鳴に与える寄生ゲートフリンジ容量の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InP HEMTによる80 Gbit/sマルチプレクサIC
- 40Gbit/s級光伝送システム用EX-OR/NORIC
- InGaAs/InAlAs/InP HEMTによる80Gbit/s動作の2:1マルチプレクサIC
- InGaAs/InAlAs/InP HEMTによる80Gbit/s動作の2:1マルチプレクサIC
- InGaAs/InAlAs/InP HEMTによる80Gbit/s動作の2:1マルチプレクサIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/sフリップチップ信号分配モジュール
- ULTIMATEの高精度タイミング発生・補正技術 (VLSI試験技術--500MHz VLSIテストシステム"ULTIMATE")
- 20 Gbit/s動作スタティック識別器
- C-11-6 グラフェン-チャネルFETを用いた論理回路の解析(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- HEMT構造2次元プラズモン共鳴型エミッターからのテラヘルツ帯電磁波放射(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- SCFL型出力バッファをもつ高速共鳴トンネルフリップフロップ回路
- 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いた高速・低消費電力フリップフロップ回路
- 波形クリップを考慮したときのSCFL分周器動作速度の負荷抵抗依存性
- 伝播遅延を考慮したInAlAs/InGaAs HEMT SCFLインバータ遅延時間解析
- 光電気融合型超高速パルスパタン発生システムとHEMT分布アンプのオンウェハー大信号評価への応用
- C-10-14 結合線路を用いた超高速AND処理回路
- 進行波型DEMUX : 超高速処理のための新規論理回路の提案
- 進行波型DEMUX : 超高速処理のための新規論理回路の提案
- 進行波型DEMUX : 超高速処理のための新規論理回路の提案
- 進行波型DEMUX : 超高速処理のための新規論理回路の提案
- 進行波型トランジスタの波動伝播特性
- 共鳴トンネルダイオードとHEMTを用いた高速ディジタル回路
- 共鳴トンネルダイオードとHEMTを用いた高速ディジタル回路
- 共鳴トンネルダイオードとHEMTを用いた高速ディジタル回路
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InP HEMTによる64Gbit/s MUX/40Gbit/s DEMUX IC
- EOSによるリングオシレータの評価
- C-4-4 無給電素子一体型ダイポールアンテナを用いたAlGaN/GaNプラズモン共鳴テラヘルツデテクタ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-10-2 Si(001)基板上におけるグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 共鳴トンネルダイオードと単一走行キャリアフォトダイオードを用いた80Gbit/s光電気融合DEMUXIC
- グラフェンチャネルトランジスタ
- ULTIMATEのシステム特性 (VLSI試験技術--500MHz VLSIテストシステム"ULTIMATE")
- 光励起グラフェンの非平衡キャリア緩和過程とテラヘルツ帯における反転分布(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- Material Report R&D プラズモン共鳴を利用した新原理半導体デバイスの室温テラヘルツ電磁波放射
- Pulse Compression by Quasi-Steady Propagation along Switch Lines
- 外部位相変調型短光パルス発生における自己相関幅/強度幅比の検討
- InP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)を用いた超高速集積回路
- ED2012-100 300GHz〜1THzを利用した無線通信の将来展望(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)