ECRスパッタ法による低温堆積SrTiO_3薄膜
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概要
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高・強誘電体薄膜の堆積は、高集積デバイス実現のためのキーテクノロジーとして、DRAMや高周波ICの分野で実用化が進められている。これらの用途では、薄膜は低温堆積が可能で、かつ直流的にも高周波的にも低損失であることが要求される。また、電界印加時にも安定した誘電特性が必要である。しかし、薄膜の高周波誘電特性の測定が困難なこともあって、特性が評価された薄膜は少ない。本稿では、ミリ波帯MMIC用に開発を進めている、低温堆積が可能なECRスパッタ法によるSrTiO_3(STO)薄膜の特性評価結果について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
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