GaAs MESFET ICを用いた10Gbit/s 1.3μm帯LDモジュールとAPDモジュール
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概要
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GaAs MESFETIC内蔵の10Gbit, sLDモジュールとAPDモジュールを開発した。LDモジュールは歪MQW DFB-LDと1チップのLDドライバICから構成されている。LDとLDドライバ間の実装条件をインピーダンス整合とドライバの耐圧を考慮して最適設計することにより、モジュールの出力パワとして最大+4.6dBmが出力可能である。APDモジュールはフリップチップ型InGaAsP/InAlAs4元APDとプリアンプICから構成されている。ICプリアンプの入力インピーダンスを雑音特性と帯域から最適設計することにより、10Gbit/sにおいて-27.4dBmの受信感度が得られた。本モジュール特性を10Gbit/s-80kmの伝送実験により確認し、1.3μmの超高速光リンクへの適用可能性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-22
著者
-
宮本 裕
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
-
西 功雄
Nttエレクトロニクステクノロジー
-
宮本 裕
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
萩本 和男
日本電信電話株式会社 Ntt未来ねっと研究所
-
恒次 秀起
日本電信電話株式会社 Ntt通信エネルギー研究所
-
恒次 秀起
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
大畑 正信
NTTエレクトロニクステクノロジー
-
香川 俊明
日本電信電話
-
都築 信頼
NTTエレクトロニクステクノロジー
-
宮本 裕
Ntt 光ネットワークシステム研
-
宮本 裕
日本電信電話(株) Nttアクセスサービスシステム研究所
-
宮本 裕
日本電信電話
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