高性能高信頼性InGaP/GaAs HBT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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高性能と高信頼性を兼ね備えたInGaP/GaAs HBTを開発した.二層化したコレクタ構造の採用と外部コレクタヘのイオン注入により,f_T/f_<max>=153/170GHzの高性能化とコレクタエミッタ間耐圧13Vの高耐圧化を達成した.得られたHBTの信頼性を評価した結果,接合温度125℃でのMTTFは1.8×10^<11>hで十分に大きな信頼性を持つことを確認した.また,このHBTを用いた利得16dB,3dB帯域80GHzの分布型アンプや12.5Gbit/s高速動作の16:1MUXを開発した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-05
著者
-
大久保 幸夫
アンリツ株式会社コアテクノロジーr&dセンター
-
松岡 裕
Nttフォトニクス研究所
-
松岡 裕
アンリツ株式会社
-
松岡 裕
アンリツ株式会社コアテクノロジーr&dセンター
-
高木 章雄
アンリツ株式会社コアテクノロジーr&dセンター
-
小路 孝志
アンリツ株式会社コアテクノロジーR&Dセンター
-
天野 好章
アンリツ株式会社コアテクノロジーR&Dセンター
-
柏木 謙一
アンリツ株式会社コアテクノロジーR&Dセンター
-
荒屋敷 豊
アンリツ株式会社コアテクノロジーR&Dセンター
-
江島 正憲
アンリツ株式会社コアテクノロジーR&Dセンター
-
江島 正憲
アンリツ株式会社コアテクノロジーr&dセンター
-
天野 好章
アンリツ株式会社コアテクノロジーr&dセンター
-
小路 孝志
アンリツ株式会社コアテクノロジーr&dセンター
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柏木 謙一
アンリツ株式会社コアテクノロジーr&dセンター
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荒屋敷 豊
アンリツ株式会社コアテクノロジーr&dセンター
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