InP/InGaAs HBTプロセスに完全整合した集積化受光回路
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
InP, InGaAs HBTプロセスに完全整合したpin-PDとpin/HBT集積化受光回路の特性を示す。波長1.3μm、パルス幅40psの光パルスに対して80psの電気パルスが得られた。出力波形の立ち下がり時間はn^+-InGaAs層で発生したホールの走行時間により決定される。pin-PDとトランスインピーダンスアンプより構成される集積化受光回路は速度2.5Gb/s、最小受光感度-9.8dBm(BER=10^-9>)で動作した。この性能はpin-PDの特性により制限される。ダブルヘテロ化により高速化の手法についても議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-20
著者
-
佐野 栄一
Ntt Lsi研究所
-
中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
-
中島 裕樹
Ntt Lsi研究所
-
米山 幹夫
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
米山 幹夫
Ntt Lsi研究所
-
松岡 裕
アンリツ株式会社
-
松岡 裕
NTT LSI研究所
-
佐野 栄一
Jst‐crest
関連論文
- プラズモン共鳴テラヘルツエミッター光パルス応答のモンテカルロ解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- TDCを用いたイメージセンサ用多段ADCのメタステーブル特性(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- インターリーブを用いたシングルスロープAD変換器用高速ランプ波形発生器(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- C-10-2 低ジッタ50Gbit/sダイナミック型識別回路(C-10.電子デバイス)
- C-10-4 ロック検出機能付き 39-45Gbit/s CDR 回路
- 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- C-10-8 InP HBT による 43Gbit/s CDR IC
- SC-7-6 InP HBTによる40Gbit/s CDR IC
- SC-7-5 InP/InGaAs HBT技術を用いた高感度・低消費電力43Gbit/s識別回路
- InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1 : 16DEMUXおよびCDR/1 : 4DEMUX
- InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1:16DEMUXおよびCDR/1:4DEMUX
- InP/InGaAs HBTを用いた低消費電力1 : 16 DEMUXおよびCDR/1 : 4 DEMUX
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- C-4-2 マイクロ波入出力線路構造を有するn-InP基板上40Gbps EA変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-10-11 カーボンナノチューブ分散紙の伝導機構(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-10 単層カーボンナノチューブネットワークの電気伝導特性の評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-14 InP/InGaAs HBT 技術を用いた低電力10 Gbit/s 1:16 DEMUX IC
- C-10-9 ダイナミック型識別器のリタイミング特性改善
- A-1-13 TDC付きシングルスロープADCの特性解析(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-6 人工誘電体を用いたSiオンチップアンテナの高利得化(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-8 HEMT光パルス応答のモンテカルロ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-13 グラフェンFETを用いたディジタル回路の性能予測(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- SC-7-9 InP/InGaAs HBTを用いた90GHzダイナミック分周器
- 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- C-10-21 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- インピーダンス整合フリップチップ実装を用いた40Gbit/s光受信モジュールの受信特性
- C-2-19 ドレイン接地フィードバックを用いたUWB用低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-53 イメージング用120GHz帯モノリシック集積型アンテナアレー(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-10-11 カーボンナノチューブ分散ゴムの電磁波シールド特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-18 広帯域直交ミキサにおける共振インダクタQ値の影響(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-3 MB-OFDM用広帯域直交ミキサの検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- A-1-4 シュレディンガー方程式の等価回路表現と1次元ポテンシャル構造への応用(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-4-23 マイクロ波反射制御回路を用いたEA変調器の高性能化(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- 非セルフアラインInP/InGaAs HBT技術と超高速ディジタルICへの応用
- 非セルフアラインInP/InGaAs HBT技術と超高速ディジタルICへの応用
- MOVPE成長カーボンドープInP/InGaAs HBT
- MOVPE成長カーボンドープInP/InGaAs HBT
- MOVPE成長カーボンドープInP/InGaAs HBT
- InP/InGaAs DHBTにより構成された17Gbit/sモノリシックpin-PD/識別回路
- 低温成長InGaAs/InAlAs MQW MSM-PDにより構成された差動型フォトコンダクティブ・アンドゲート
- 0.15μm GaAs MESFETを用いた40Gbit/s識別器IC
- MW2000-28 / OPE2000-28 InP/InGaAsダブルヘテロ構造フォトトランジスタを用いた光電変換ミキサ
- MW2000-28 / OPE2000-28 InP/InGaAsダブルヘテロ構造フォトトランジスタを用いた光電変換ミキサ
- MQW変調器集積DFBレーザモジュールの40Gbit/S変調動作
- CS-3-2 140GHz帯ミリ波イメージング装置(CS-3.環境・エネルギー分野の発展に貢献するマイクロ波技術,シンポジウムセッション)
- InP HEMTを用いた46 Gb/sスーパーダイナミック型識別回路モジュール
- InP HEMTによる40Gbit/s MUX/DEMUX モジュール
- IMSL-IC構造の超高速ディジタルICへの適用
- 等化増幅系における周波数特性の非平坦性が符号誤り率に及ぼす影響
- InP/InGaAsHBTプロセスに完全整合する超広帯域pin-PD
- ゼロ分散フラット伝送路を用いた分散等化器不要な40 Gbit/s×10チャネルWDM伝送実験
- C-10-20 エッチングストップ層を用いたレッジ付InP DHBTの開発(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 高性能高信頼性InGaP/GaAs HBT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-2-6 InGaP/GaAs HBTを用いた分布型増幅器(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- InP/InGaAs DHBTを用いた超高速受光OEIC
- 六角形エミッタ形状超高速 InP/InGaAs DHBT
- ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタによりモノリシックに集積されたpin-PD/識別回路
- サブミリアンペア動作超高速InP/InGaAs HBT
- InP/InGaAs HBTプロセスに完全整合した集積化受光回路
- InP/InGaAsダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いた超高速、低電力光通信用IC(招待講演)
- InP/InGaAsダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いた超高速、低電力光通信用IC(招待講演)
- InP/InGaAsダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いた超高速、低電力光通信用IC(招待講演)
- InP/InGaAsダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いた超高速、低電力光通信用IC(招待講演)
- λ/4スタブを用いた二周波数帯同時整合回路とMMIC広帯域(30-60 GHz)増幅器への応用
- 単一走行キャリア・フォトダイオード駆動の光変調器を用いた40 Gbit/s デマルチプレクサ
- 4チャネル多重40Gbit/s光デュオバイナリ信号を用いた160Gbit/s WDM伝送実験
- モード同期LDによる四光波混合抑圧40Gbit/s x3ch RZ伝送
- 単一走行キャリア・フォトダイオードを用いた識別回路直接駆動型40Gbit/s高感度受信回路
- 光デュオバイナリ信号を用いた超高速光伝送システムの検討
- B-10-64 40Gbit/s TDM送受信プロトタイプを用いた160 Gbit/sWDM伝送実験
- V帯送受信用MMIC
- 超40Gb/s ICモジュール用実装プラットフォームの検討
- 0.2μm GaAsMESFETを用いた10Gbit/s光デュオナイナリ用プリコーダIC
- 光照射MESFETを用いたHMIC発振器の光パルス変調
- 光電気混在回路シミュレーション
- マイクロ波回路の電磁界解析技術
- 差分時間領域法によるコプレ-ナ線路の解析
- 光電気融合型超高速パルスパタン発生システムとHEMT分布アンプのオンウェハー大信号評価への応用
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InP HEMTによる64Gbit/s MUX/40Gbit/s DEMUX IC
- 16)光照射FETモデルとその光特性(無線・光伝送研究会)
- 光照射FETモデルとその光特性
- 光照射MESFETのモデリング
- 光照射MESFETの小信号モデリング
- 0.2μm GaAs MESFETによる20 Gb/s級スーパーダイナミック型フリップフロップIC
- 非接触テラヘルツICプロ-バ
- 超高速集積回路技術 (超大容量光伝送方式)
- C-2-98 140GHz帯ミリ波イメージング装置の冬季屋外試験(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置,一般セッション)