超高速ディジタル回路用0.1μm級GaAsMESFET
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概要
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将来の超高速ディジタル回路構成素子として、0.1μm級WSiNゲートイオン注入GaAs MESFETの高性能化を検討してきた。ゲート長のさらなる高均一化が図れるWSiNゲートエッチング法を導入し、FETおよび集積回路の動作速度の高均一化を図ったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
西村 一巳
NTT LSI研究所
-
神 好人
Ntt 通信エネルギー研
-
西村 一巳
NTT システムエレクトロニクス研究所
-
神 好人
NTT システムエレクトロニクス研究所
-
村田 浩一
NTT システムエレクトロニクス研究所
-
山根 康朗
NTT システムエレクトロニクス研究所
-
山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
-
山根 康朗
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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