短時間アニ-ルによるMESFET高性能化 (GaAs SAINTによる超高速・超高周波集積回路技術)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
C-10-15 BCB多層配線プロセスを用いたマイクロ波線路の特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
-
60GHz帯0.4V, 5.6mW InP HEMT低雑音増幅器MMIC(移動通信ワークショップ)
-
C-2-21 V帯広帯域InP HEMT周波数逓倍器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
-
高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
SC-9-6 BCB 液体ソースを用いたプラズマ CVD 法で堆積した低誘電率有機膜の膜質特性
-
超高速ディジタルICへの多層配線構造の適用
-
高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
AlGaN/GaN 2DEG 構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果
-
C-10-10 側面コンタクトを用いたスタック型MIMキャパシタの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
配線用電解めっきAuにおけるセルフアニール現象(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
-
C-10-8 BCB層間膜を用いたInP-HEMTの耐湿性向上(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
-
C-10-20 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製と評価(C-10.電子デバイス)
-
C-10-3 多相クロック構成による 50 Gbit/s InP HEMT 4 : 1 マルチプレクサ /1 : 4 デマルチプレクサ IC
-
InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
-
InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
-
InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
-
InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
-
InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
-
短時間アニ-ルによるMESFET高性能化 (GaAs SAINTによる超高速・超高周波集積回路技術)
-
InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
-
InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
-
C-10-17 高周波用スタック型キャパシタの高Q値化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
C-10-9 InP-ICの3次元集積化に向けた基板貫通ヴィアの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
C-10-11 InP-HBT-IC安定化のための基板貫通グランドヴィア形成プロセス(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク