InP系集積回路の新応用技術(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
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概要
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本論では、InP系材料のSiやGaAsにはない特長を活かした2種類の新しい集積回路への応用技術について議論する。InP HBTプロセスで実現できるヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HPT)を用いた光電子集積回路(OEIC)では、100GHz/100Gbit/s級の光注入同期発振器/クロック再生OEICや43Gbit/sクロック・データ再生OEICを実現する。Cold FETスイッチとして低ON抵抗かつ低OFF容量の特性を持つInP HEMTを用いたスイッチでは、消費電力がゼロで高速切替動作が可能な10Gbit/s 2×2および4×4スイッチマトリクスICを実現する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-22
著者
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