表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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概要
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表面活性化ボンディング(SAB)法を用いて作製したn-Si/n-Si接合,n-Si/n-GaNヘテロ接合、p-Si/n-GaAsヘテロ接合の電気特性を評価した。n-Si/n-Si接合とn-Si/n-GaN接合の電流電圧(I-V)特性は、室温においてオーミック特性を示した。ダイシングによって作製した複数個のn-Si/n-Si接合チップのI-V特性はほぼ一致した。温度依存性測定後のn-Si/n-GaN接合には破損等は認められなかった。p-Si/n-GaAs接合は良好な整流特性を示した。容量-電圧特性から求めたp-Si/n-GaAs接合のフラットバンド電圧は1.6V程度で、界面に電荷が存在しない状態でのp-Si/n-GaAsヘテロ接合の拡散電位とほぼ一致した。これらの結果は、SAB法は新たな機能デバイスを作製する手段として有望であることを示す。
- 2012-11-22
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