三次元電磁界解析によるバンプ接続部の高周波特性解析
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概要
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バンプ接続技術は、従来のワイヤボンディング接続技術に比べ高い周波数領域での利用が可能である。我々は30μm以下の微少なバンプ接続技術の超高速・高周波モジュールへの適応検討を進めている。設計に際して、超高周波領域における特性の実験的な把握は困難であり、また解析的には、従来の配線系の特性解析に用いられてきた断面構造による二次元電磁界解析を三次元構造を有するバンプへ適応するのは困難である。そこで、バンプ接続部に対し、三次元電磁界解析である空間回路網法を用いて数値解析による検討を行い、その超高周波領域での特性を明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
久々津 直哉
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
佐藤 信夫
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
細矢 正風
NTT境界領域研究所
-
恒次 秀起
NTT境界領域研究所
-
恒次 秀起
日本電信電話株式会社 Ntt通信エネルギー研究所
-
細矢 正風
Nttエレクトロニクス株式会社超高速モジュール事業部
-
佐藤 信夫
NTT境界領域研究所
-
今野 理洋
NTT境界領域研究所
-
久々津 直哉
NTT境界領域研究所
-
今野 理洋
NTT生活環境研究所
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