転写形微小はんだバンプの形成およびその応用技術に関する検討
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概要
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蒸着法で形成するはんだ膜の残留応力による素子へのダメージを軽減するため、あらかじめキャリア基板上に形成したはんだを素子の電極上に転写し、バンプ形成する技術について検討を進めた。はんだ材料は100%Inと60%Sn-Pbの2種類、バンプサイズは26μmおよび40μmで、0.5から4mm角のテストチップや電気・光デバイス上に8から546個の転写バンプを形成することが可能であった。本技術を応用することにより、様々なモジュールへの適用が可能であることを確認するとともに、転写工程を複数回行うマルチ転写形の微小はんだバンプ技術により、転写回数に対応して25〜45μmのバンプ高さ方向に制御することが可能であることが分かった。
- 1998-08-27
著者
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小勝負 信建
NTT光エレクトロニクス研究所
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小勝負 信建
Nttフォトニクス研究所
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細矢 正風
NTT境界領域研究所
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恒次 秀起
日本電信電話株式会社 Ntt通信エネルギー研究所
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恒次 秀起
Ntt光エレクトロニクス研究所
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恒次 秀起
Ntt 通信エネルギー研
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細矢 正風
Nttエレクトロニクス株式会社超高速モジュール事業部
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石沢 鈴子
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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細矢 正風
NTT光エレクトロニクス研究所
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石沢 鈴子
NTT光エレクトロニクス研究所
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高原 秀行
NTT光エレクトロニクス研究所
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高原 秀行
Nttマイクロンステムインテグレーション研究所
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