MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
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概要
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炭素ドープInP/InGaAs HBTのMOCVD成長においてトリエチル基原料ガスを用いてベース層への水素混入低減を試み、良好なHBT特性を得た。コレクタ電流95%に相当する通電を40時間行った結果、電流増幅率が23%まで指数関数的に低下した。C-E間のバイアス極性を反転して通電した実験を追加し、順方向通電したpn接合の特性劣化が原因であることを確認した。劣化した試料に対し極性を反転して通電を行うことにより電流増幅率の低下が14%まで回復する現象を観測した。この原因として、ベース層であるp-InGaAsに存在する水素の可逆的なマイグレーションが考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-06
著者
-
塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科
-
福島 慶広
福井大学大学院工学研究科
-
荻須 啓太
福井大学大学院工学研究科
-
荒木 賀行
NTTアドバンスドテクノロジ
-
横浜 秀雄
NTTアドバンスドテクノロジ
-
塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
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