荻須 啓太 | 福井大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科
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福島 慶広
福井大学大学院工学研究科
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荻須 啓太
福井大学大学院工学研究科
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葛原 正明
福井大学大学院工学研究科
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
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葛原 正明
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学
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荒木 賀行
NTTアドバンスドテクノロジ
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横浜 秀雄
NTTアドバンスドテクノロジ
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葛原 正明
福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻
著作論文
- p-GaNショットキー接触のI-V,G-V特性 : キャリア濃度,金属仕事関数依存性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- p-GaNショットキー接触のI-V, C-V特性 : 金属仕事関数依存性
- MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- p-GaNショットキー接触のI-V, C-V特性 : キャリア濃度, 金属仕事関数依存性
- MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性