葛原 正明 | 福井大学大学院工学研究科電気・電子工学

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概要

• 同名の論文著者
• 福井大学大学院工学研究科電気・電子工学の論文著者

関連著者

• 葛原 正明

  福井大学大学院工学研究科電気・電子工学

• 葛原 正明

  福井大学大学院工学研究科

• 葛原 正明

  福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻

• 塩島 謙次

  福井大学大学院工学研究科

• 塩島 謙次

  福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻

• 酒井 亮輔

  福井大学大学院工学研究科

• 西田 猛利

  福井大学大学院工学研究科

• 児玉 和樹

  福井大学大学院工学研究科

• 岡井 智隆

  福井大学大学院工学研究科

• 牧野 弘

  福井大学大学院工学研究科

• 石川 信洋

  福井大学大学院工学研究科

• 福島 慶広

  福井大学大学院工学研究科

• 荻須 啓太

  福井大学大学院工学研究科

• 近岡 大成

  福井大学大学院工学研究科

• 徳田 博邦

  福井大学工学研究科電気・電子工学専攻

• 畑野 舞子

  福井大学大学院工学研究科

• 徳田 博邦

  福井大学大学院工学研究科

• 小林 功郎

  東京工業大学 精密工学研究所

• 小林 功郎

  東京工業大学精密工学研究所

• 小林 功郎

  東京工業大学

• 作野 圭一

  シャープ株式会社

• 秋田 勝史

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 高桑 陽一

  福井大学大学院工学研究科

• 秋田 勝史

  住友電気工業株式会社

• 橋本 信

  住友電気工業株式会社

• 國塩 直樹

  福井大学大学院工学研究科

• 山崎 潤

  福井大学大学院工学研究科

• MAKHZANI ZULHILMI

  福井大学大学院工学研究科

• 矢船 憲成

  金属系材料研究開発センター

• 山本 喜之

  住友電気工業株式会社

• 矢船 憲成

  金属系材料研究開発センター:シャープ株式会社

• 作野 圭一

  シャープ

• 木水 拓也

  福井大学大学院工学研究科

• 内藤 佑介

  福井大学大学院工学研究科

• 山本 喜之

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 秋田 勝史

  住友電気工業

• 橋本 信

  住友電気工業

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著作論文

• 8.高速情報ネットワーク時代を支える光・ワイヤレス通信用デバイスの現状と展望(時代をひらく電子情報通信技術-技術がもたらした変革,そして更なる飛躍-)
• C-10-12 傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧に関する理論解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• C-10-11 多段フィールドプレートAlGaN/GaN-HEMTの最適設計(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-11 2層絶縁膜を有するAlGaN/GaNダイオードの理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• C-10-2 2層金属埋め込み構造を有するGaNショットキーダイオードのオン電圧とリーク電流に関する理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-4 傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの最適設計と耐圧に関する理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• p-GaNショットキー接触のI-V,G-V特性 : キャリア濃度,金属仕事関数依存性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• C-10-11 AlInN/InGaN/AlInNダブルへテロ接合FETの高周波特性解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• C-10-9 AlGaN/GaNへテロ接合における接触抵抗低減に関する理論検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• 窒化物半導体トランジスタヘの期待と将来展望(半導体材料・デバイス)
• p-GaNショットキー接触のI-V, C-V特性 : 金属仕事関数依存性
• AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• C-10-2 AlN基板上AlGaNチャネルHEMTの高温特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-2 傾斜フィールドプレートAlGaN/GaN HEMTの耐圧解析 : 2層絶縁膜の効果(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• C-10-17 ウルツ鉱構造GaNの衝突イオン化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• C-10-14 InGaNチャネルをもつダブルヘテロ接合FETの高周波特性解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-16 AlGaN/GaN HEMTにおける電荷制御モデル(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 窒化物半導体トランジスタの現状と課題(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)

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