C-10-2 AlN基板上AlGaNチャネルHEMTの高温特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 2010-03-02
著者
-
作野 圭一
シャープ株式会社
-
葛原 正明
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学
-
葛原 正明
福井大学大学院工学研究科
-
秋田 勝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
近岡 大成
福井大学大学院工学研究科
-
秋田 勝史
住友電気工業株式会社
-
橋本 信
住友電気工業株式会社
-
畑野 舞子
福井大学大学院工学研究科
-
國塩 直樹
福井大学大学院工学研究科
-
山崎 潤
福井大学大学院工学研究科
-
MAKHZANI ZULHILMI
福井大学大学院工学研究科
-
矢船 憲成
金属系材料研究開発センター
-
山本 喜之
住友電気工業株式会社
-
矢船 憲成
金属系材料研究開発センター:シャープ株式会社
-
作野 圭一
シャープ
-
山本 喜之
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
秋田 勝史
住友電気工業
-
橋本 信
住友電気工業
-
葛原 正明
福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻
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