5GHz高効率・低歪みInGaP/GaAs HBTパワーアンプMMIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
InGaP/GaAs HBT 2段構成による5GHz帯Wireless-LAN用パワーアンプを開発した。セルフアライン技術とベースメササイドエツチングによりHBTの高利得化を実現した。また、微細ビアホール作製プロセスを開発した。HBTの各フィンガー間に微細ピアホールを配置することによって、マルチフィンガーHBTの利得の向上を実現した。さらに、新規可変負帰還回路の開発により、線形性も改善した。これらの技術をとりいれたパブーアンプMMICを試作し、54 Mbps伝送時に、Pout=19.7dBm、Gain=22dB、PAE=22.5%、EVM=5.0%と良好な性能を得た。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-01-14

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク