バンプヒートシンク技術 : HBTパワー素子に適した実装方法の実現
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概要
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HBTパワー素子に好適な実装方法を提案、実現した。AuバンプをHBT各ユニット直上とチップ周囲の接続部に設け、このチップをAINパッケージ上にフリップチップ実装した。HBT、バンプの設計は0.9GHzで良好な性能を示すように最適化され、6VのCW動作では5W-74%、8W-66%、10W-61%の電力付加効率を得た。HBTでの記録としては同様の出力条件下で最も高い。この技術を用いて3段HBTパワーアンプMMICを作製し、4VのCW動作で、出力34dBm以上、利得31dB以上、付加効率55%以上を得、本構造がMMICへの応用に適していることを実証した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-20
著者
-
作野 圭一
シャープ株式会社
-
佐藤 浩哉
シャープ(株)技術本部デバイス技術研究所
-
佐藤 浩哉
シャープ株式会社中央研究所
-
長谷川 正智
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
作野 圭一
シャープ
-
長谷川 正智
シャープ(株)
-
富田 孝司
シャープ
-
富田 孝司
シャープ株式会社ソーラーシステム事業部
-
赤木 政則
シャープ株式会社IC事業本部
-
山村 圭司
シャープ株式会社生産技術開発本部
-
宮宇地 真人
シャープ株式会社 技術本部
-
J.K. Twynam
シャープ株式会社 技術本部
-
山村 圭司
シャープ(株)精密技術開発センター
-
富田 孝司
シャープ株式会社 技術本部
-
赤木 政則
シャープ
-
山村 圭司
シャープ株式会社生産技術開発推進本部精密技術開発センター
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