作野 圭一 | シャープ
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概要
関連著者
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作野 圭一
シャープ
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長谷川 正智
シャープ(株)
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作野 圭一
シャープ株式会社
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佐藤 浩哉
シャープ(株)技術本部デバイス技術研究所
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川村 博史
シャープ(株)
-
佐藤 浩哉
シャープ株式会社中央研究所
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岡 徹
シャープ(株)
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作野 圭一
シャープ(株)基盤技術研究所
-
長谷川 正智
シャープ株式会社基盤技術研究所
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佐藤 浩哉
シャープ(株)
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藤田 耕一郎
シャープ(株)基盤技術研究所
-
長谷川 隆生
シャープ株式会社モバイル液晶事業本部
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トワイナム J.
シャープ(株)基盤技術研究所
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矢倉 基次
シャープ株式会社デバイス技術研究所
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川村 博史
シャープ(株)技術本部デバイス技術研究所
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山下 雅治
シャープ(株)基盤技術研究所
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天野 義久
シャープ(株)
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天野 義久
京セラ
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末松 英治
シャープ株式会社
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高 秀樹
シャープ(株)技術本部デバイス技術研究所
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籠島 謙知
シャープ(株)技術本部デバイス技術研究所
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朱 雨
シャープ株式会社基盤技術研究所
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高橋 直
シャープ(株)技術本部デバイス技術研究所
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松本 信之
シャープ株式会社基盤技術研究所
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川村 博史
シャープ株式会社基盤技術研究所
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矢倉 基次
シャープ株式会社中央研究所
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末松 英冶
シャープ株式会社デバイス技術研究所
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劉 翊
シャープ(株)技術本部デバイス技術研究所
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白川 一彦
シャープ(株)技術本部デバイス技術研究所
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山下 雅治
シャープ(株)技術本部デバイス技術研究所
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平田 倫歳
シャープ(株)
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葛原 正明
福井大学大学院工学研究科
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近岡 大成
福井大学大学院工学研究科
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高 秀樹
シャープ株式会社基盤技術研究所
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籠島 謙知
シャープ株式会社基盤技術研究所
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末松 英治
シャープ株式会社基盤技術研究所
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山田 敦史
シャープ株式会社基盤技術研究所
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朱 雨
シャープ株式会社 基盤技術研究所
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矢船 憲成
金属系材料研究開発センター:シャープ株式会社
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山田 敦史
シャープ(株)基盤技術研究所
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貴島 洋史
シャープ(株)技術本部デバイス技術研究所
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岸本 克彦
シャープ株式会社技術本部
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岸本 克彦
シャープ株式会社中央研究所
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江口 芳仁
Advanced Technology Laboratories Sharp Corporation
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葛原 正明
福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻
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渡邊 史直
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
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矢船 憲成
財団法人金属系材料研究開発センター
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永森 基
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
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近岡 大成
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
-
葛原 正明
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
-
山田 敦史
シャープ
-
藤田 耕一郎
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
白川 一彦
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
高橋 直
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
劉 翊
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
岡 徹
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
山下 雅治
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
朱 雨
シャープ(株)基盤技術研究所
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矢倉 基次
シャープ(株)基盤技術研究所
-
長谷川 正智
シャープ(株)基盤技術研究所
-
長谷川 隆生
シャープ(株)基盤技術研究所
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Eguchi Y.
Advanced Technology Laboratories, SHARP Corporation
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末松 英治
シャープ(株)基盤技術研究所
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松本 信之
シャープ(株)基盤技術研究所
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橋爪 信郎
シャープ(株)基盤技術研究所
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石丸 昌晃
シャープ(株)
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トワイナム J.K.
シャープ株式会社技術本部
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赤木 政則
シャープ株式会社IC事業本部
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山村 圭司
シャープ株式会社生産技術開発本部
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長谷川 隆夫
シャープ株式会社中央研究所
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山村 圭司
シャープ(株)精密技術開発センター
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末松 英治
シャープ(株)
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赤木 政則
シャープ
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山村 圭司
シャープ株式会社生産技術開発推進本部精密技術開発センター
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葛原 正明
福井大学工学研究科システム設計工学専攻
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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飯塚 邦彦
シャープ株式会社
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葛原 正明
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学
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佐藤 俊一
シャープ株式会社
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田中 誠一
シャープ株式会社
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秋田 勝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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河間 修一
シャープ株式会社基盤技術研究所
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東 慎一郎
シャープ株式会社基盤技術研究所
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秋田 勝史
住友電気工業株式会社
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橋本 信
住友電気工業株式会社
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原 信二
シャープ株式会社ic事業本部
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東 慎一郎
シャープ株式会社技術本部
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畑野 舞子
福井大学大学院工学研究科
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國塩 直樹
福井大学大学院工学研究科
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山崎 潤
福井大学大学院工学研究科
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MAKHZANI ZULHILMI
福井大学大学院工学研究科
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矢船 憲成
金属系材料研究開発センター
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山本 喜之
住友電気工業株式会社
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天野 義久
シャープ株式会社基盤技術研究所
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江口 芳仁
シャープ株式会社 基盤技術研究所
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富田 孝司
シャープ
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飯塚 邦彦
シャープ株式会社 技術本部
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豊山 愼治
シャープ株式会社技術本部
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貴島 洋史
シャープ株式会社技術本部
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幸谷 真人
シャープ株式会社技術本部
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富田 孝司
シャープ株式会社ソーラーシステム事業部
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平田 倫歳
電子部品事業本部オプトアナログデバイス事業部
-
天野 義久
電子部品事業本部オプトアナログデバイス事業部
-
石丸 昌晃
電子部品事業本部オプトアナログデバイス事業部
-
トワイナム ジョン
シャープ(株)基盤技術研究所
-
清水 正文
シャープ株式会社技術本部
-
トワイナム J.
シャープ株式会社中央研究所
-
Twynam John
シャープ株式会社中央研究所
-
宮宇地 真人
シャープ株式会社 技術本部
-
J.K. Twynam
シャープ株式会社 技術本部
-
山本 喜之
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
富田 孝司
シャープ株式会社 技術本部
-
秋田 勝史
住友電気工業
-
橋本 信
住友電気工業
-
河間 修一
シャープ株式会社技術本部
-
天野 義久
Advanced Technology Laboratories, SHARP Corporation
著作論文
- AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- CS-3-8 歪補償バイアス回路を用いた携帯端末向け小型高線形HBT MMICドハティ増幅器(CS-3.マイクロ波トランジスタ高出力増幅器の現状と今後の展開,シンポジウム)
- 広帯域無線アクセス用3.3V動作高出力低歪GaAs HBTパワーアンプ技術
- AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-2 AlN基板上AlGaNチャネルHEMTの高温特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- SC-9-2 素子間微細 via ホールを用いた高利得 InGaP/GaAs HBT
- SC-2-7 5GHz 帯無線 LAN 用高効率 InGaP/GaAs HBT パワーアンプ MMIC
- HBTにおける自己発熱の補償およびその解析
- HBTにおける自己発熱の補償およびその解析
- 携帯端末向け地上デジタル放送用1セグチューナIC
- 5GHz高効率・低歪みInGaP/GaAs HBTパワーアンプMMIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 5GHz高効率・低歪みInGaP/GaAs HBTパワーアンプMMIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-2-16 3GHz帯広帯域無線アクセス用3.3V動作高線形出力GaAs HBTパワーアンプMMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- 無線通信用InGaP HBTパワーアンプの高線形化技術
- C-2-19 ダイオードリニアライザによる5GHz帯無線LAN用HBT PAの線形性および効率向上(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 移動体通信用AlGaAs/GaAsパワーHBTの開発とMMICへの応用
- 自己発熱半導体デバイスの熱時定数抽出法
- 自己発熱HBT大信号モデル
- 反射型HBTVCOを用いたミリ波帯注入同期発振器
- ワイヤレスLAN用パワーアンプ (特集 ユビキタス・ネットワークを支える技術)
- SC-7-3 W-CDMA用高効率小型パワーアンプMMIC
- W-CDMA用小型・高効率HBTパワーアンプMMIC (特集 環境関連技術)
- バンプヒートシンク技術 : HBTパワー素子に適した実装方法の実現