矢倉 基次 | シャープ株式会社中央研究所

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概要

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• 矢倉 基次

  シャープ株式会社中央研究所

• 矢倉 基次

  シャープ株式会社デバイス技術研究所

• 佐藤 浩哉

  シャープ(株)技術本部デバイス技術研究所

• 佐藤 浩哉

  シャープ株式会社中央研究所

• 末松 英治

  シャープ株式会社基盤技術研究所

• 山田 敦史

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• 朱 雨

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• 作野 圭一

  シャープ株式会社

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  シャープ(株)

• 岸本 克彦

  シャープ株式会社技術本部

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• 長谷川 隆生

  シャープ株式会社モバイル液晶事業本部

• 江口 芳仁

  シャープ株式会社 基盤技術研究所

• トワイナム J.K.

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• 江口 芳仁

  Advanced Technology Laboratories Sharp Corporation

• 天野 義久

  シャープ(株)

• 天野 義久

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• 原 信二

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• 松本 信之

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• 天野 義久

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• 吐田 真一

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• 元内 義記

  シャープ株式会社基盤技術研究所

• 元内 義記

  シャープ株式会社デバイス技術研究所

• 吐田 真一

  シャープ株式会社デバイス技術研究所

• 赤木 政則

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• 山村 圭司

  シャープ株式会社生産技術開発本部

• 清水 正文

  シャープ株式会社技術本部

• トワイナム J.

  シャープ株式会社中央研究所

• トワイナム ジョン・K.

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• Twynam John

  シャープ株式会社中央研究所

• 長谷川 隆夫

  シャープ株式会社中央研究所

• 山村 圭司

  シャープ(株)精密技術開発センター

• 赤木 政則

  シャープ

• 山村 圭司

  シャープ株式会社生産技術開発推進本部精密技術開発センター

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著作論文

• ミリ波帯注入同期型MMIC発振器
• C-2-26 60GHz帯InGaP/GaAs HBT低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
• 移動体通信用AlGaAs/GaAsパワーHBTの開発とMMICへの応用
• 自己発熱半導体デバイスの熱時定数抽出法
• 自己発熱HBT大信号モデル
• V帯HBT MMICミキサ
• 反射型HBTVCOを用いたミリ波帯注入同期発振器

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