川村 博史 | シャープ(株)技術本部デバイス技術研究所

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概要

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関連著者

• 岡 徹

  シャープ(株)

• 作野 圭一

  シャープ(株)基盤技術研究所

• 作野 圭一

  シャープ

• 長谷川 正智

  シャープ(株)

• 川村 博史

  シャープ(株)技術本部デバイス技術研究所

• 川村 博史

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  シャープ(株)基盤技術研究所

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• トワイナム ジョン

  シャープ(株)基盤技術研究所

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著作論文

• 広帯域無線アクセス用3.3V動作高出力低歪GaAs HBTパワーアンプ技術
• 5GHz高効率・低歪みInGaP/GaAs HBTパワーアンプMMIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 5GHz高効率・低歪みInGaP/GaAs HBTパワーアンプMMIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-2-16 3GHz帯広帯域無線アクセス用3.3V動作高線形出力GaAs HBTパワーアンプMMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• 無線通信用InGaP HBTパワーアンプの高線形化技術
• C-2-19 ダイオードリニアライザによる5GHz帯無線LAN用HBT PAの線形性および効率向上(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)

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