AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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AlGaN/GaNヘテロ接合へのV/Al/Mo/Auオーミック電極のアニール後の電気的特性について調べた。V/Al/Mo/Au電極は、550℃のアニールによって1.6x10^<-6>Ωcm^2の低接触抵抗率を示した。AlGaN/GaN HEMTのオーミック電極にV/Al/Mo/Au電極を適用した結果、従来のTi/Al/Mo/Au電極より約100V高いオフ耐圧と優れた表面モホロジーが得られた。
- 2009-11-12
著者
-
渡邊 史直
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
-
矢船 憲成
財団法人金属系材料研究開発センター
-
永森 基
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
-
近岡 大成
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
-
作野 圭一
シャープ株式会社
-
葛原 正明
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
-
葛原 正明
福井大学大学院工学研究科
-
近岡 大成
福井大学大学院工学研究科
-
矢船 憲成
金属系材料研究開発センター:シャープ株式会社
-
作野 圭一
シャープ
-
葛原 正明
福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻
-
葛原 正明
福井大学工学研究科システム設計工学専攻
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