AlGaN/GaN MIS HEMTの直流特性に与える熱処理の影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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ALD-Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MIS HEMTに対して、熱処理前後における直流特性の変化を評価した。熱処理をゲート金属蒸着前に行うと、500℃の熱処理により閾値電圧が負方向に変化した。一方、ゲート金属蒸着後に熱処理を行うと、熱処理により閾値電圧が正方向に変化し、また、順方向のゲートリーク電流が減少した。これは、蒸着後熱処理によりゲート/Al_2O_3界面の障壁高さが増加したためであると考えられる。窒素雰囲気中でゲート蒸着後に500℃の熱処理を行うことにより、R_<on>やg_<mmax>謎に影響なく順方向のリーク電流を減少することができた。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-07-19
著者
-
徳田 博邦
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
-
畑野 舞子
福井大学大学院工学研究科
-
徳田 博邦
福井大学大学院工学研究科
-
畑野 舞子
福井大学工学研究科システム設計工学専攻
-
徳田 博邦
福井大学工学研究科システム設計工学専攻
-
葛原 正明
福井大学工学研究科システム設計工学専攻
-
谷口 裕哉
福井大学工学研究科システム設計工学専攻
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