AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価 (マイクロ波)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 電子情報通信学会の論文
- 2012-01-11
著者
関連論文
- AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-2 AlN基板上AlGaNチャネルHEMTの高温特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価 (マイクロ波)
- AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価 (電子デバイス)
- AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)