フルバンドモデルに基づくAlGaN/GaN HEMTの衝突イオン化の理論検討(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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フルバンドモンテカルロ法を用いて、AlGaN/GaN HEMTにおける衝突イオン化を解析した。フルバンドモデルに基づいた厳密計算から、バンド指数を考慮した衝突イオン化確率を求めた。ゲート長およびゲート-ドレイン間距離が各々1μmのデバイスにおいて、ドレイン電圧が200V以上のときに衝突イオン化が起こった。しかし、衝突イオン化によるドレイン電流の増加は300V以上で顕著となった。ドレイン電圧と衝突イオン化の関係について調べた結果、両者の関係は単調増加ではなく、300〜400Vの問で増加が抑制された。本研究から、衝突イオン化確率が電子エネルギーだけではなく、バンド指数の電子状態に強く依存することが改めて確認された。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-07-19
著者
-
葛原 正明
福井大学大学院工学研究科
-
児玉 和樹
福井大学大学院工学研究科
-
徳田 博邦
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
-
徳田 博邦
福井大学大学院工学研究科
-
葛原 正明
福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻
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