児玉 和樹 | 福井大学大学院工学研究科

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概要

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関連著者

• 葛原 正明

  福井大学大学院工学研究科

• 児玉 和樹

  福井大学大学院工学研究科

• 葛原 正明

  福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻

• 葛原 正明

  福井大学大学院工学研究科電気・電子工学

• 西田 猛利

  福井大学大学院工学研究科

• 塩島 謙次

  福井大学大学院工学研究科

• 塩島 謙次

  福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻

• 徳田 博邦

  福井大学工学研究科電気・電子工学専攻

• 徳田 博邦

  福井大学大学院工学研究科

• 酒井 亮輔

  福井大学大学院工学研究科

• 畑野 舞子

  福井大学大学院工学研究科

• 木水 拓也

  福井大学大学院工学研究科

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著作論文

• C-10-11 AlInN/InGaN/AlInNダブルへテロ接合FETの高周波特性解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• C-10-2 傾斜フィールドプレートAlGaN/GaN HEMTの耐圧解析 : 2層絶縁膜の効果(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-17 ウルツ鉱構造GaNの衝突イオン化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• C-10-14 InGaNチャネルをもつダブルヘテロ接合FETの高周波特性解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
• フルバンドモデルに基づくAlGaN/GaN HEMTの衝突イオン化の理論検討 (電子デバイス)
• フルバンドモデルに基づくAlGaN/GaN HEMTの衝突イオン化の理論検討(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

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