西田 猛利 | 福井大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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西田 猛利
福井大学大学院工学研究科
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葛原 正明
福井大学大学院工学研究科
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葛原 正明
福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻
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葛原 正明
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
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酒井 亮輔
福井大学大学院工学研究科
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児玉 和樹
福井大学大学院工学研究科
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葛原 正明
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
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岡井 智隆
福井大学大学院工学研究科
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高桑 陽一
福井大学大学院工学研究科
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高桑 陽一
福井大学工学研究科
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西田 猛利
福井大学工学研究科
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西田 猛利
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻博士前期課程
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葛原 正明
福井大学工学研究科システム設計工学専攻
著作論文
- C-10-12 傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧に関する理論解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 多段フィールドプレートAlGaN/GaN-HEMTの最適設計(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-11 AlInN/InGaN/AlInNダブルへテロ接合FETの高周波特性解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-14 InGaNチャネルをもつダブルヘテロ接合FETの高周波特性解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaN HEMTのエンハンスメント動作の検討(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 学会発表を通じて(北陸支部,支部から,各支部・Student Branch学生員の感想)