塩島 謙次 | 福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
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概要
関連著者
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
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葛原 正明
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学
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福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻
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西田 猛利
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酒井 亮輔
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岡井 智隆
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児玉 和樹
福井大学大学院工学研究科
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福島 慶広
福井大学大学院工学研究科
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荻須 啓太
福井大学大学院工学研究科
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牧野 弘
福井大学大学院工学研究科
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石川 信洋
福井大学大学院工学研究科
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高桑 陽一
福井大学大学院工学研究科
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近岡 大成
福井大学大学院工学研究科
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荒木 賀行
NTTアドバンスドテクノロジ
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横浜 秀雄
NTTアドバンスドテクノロジ
著作論文
- GaN電子素子特性に結晶欠陥が与える影響(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- C-10-12 傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧に関する理論解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 多段フィールドプレートAlGaN/GaN-HEMTの最適設計(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-11 2層絶縁膜を有するAlGaN/GaNダイオードの理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-2 2層金属埋め込み構造を有するGaNショットキーダイオードのオン電圧とリーク電流に関する理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-4 傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの最適設計と耐圧に関する理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- p-GaNショットキー接触のI-V,G-V特性 : キャリア濃度,金属仕事関数依存性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- C-10-11 AlInN/InGaN/AlInNダブルへテロ接合FETの高周波特性解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-9 AlGaN/GaNへテロ接合における接触抵抗低減に関する理論検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- p-GaNショットキー接触のI-V, C-V特性 : 金属仕事関数依存性
- AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-14 InGaNチャネルをもつダブルヘテロ接合FETの高周波特性解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)