GaN電子素子特性に結晶欠陥が与える影響(<特集>窒化物半導体結晶中の欠陥)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GaN系半導体材料は結晶成長,プロセス技術に大きな進展を成し遂げ,光デバイスだけでなく,電子デバイス応用としても高出力パワーアンプ,パワースイッチングの分野で実用化を迎える段階に研究開発が進展した.本稿では著者がデバイス開発の過程で観測した結晶欠陥起因の現象として,転位と電気的特性の相関,p-GaN電極のショットキー障壁高さ及びメモリー効果,熱処理による2次元電子ガス濃度の変動,及び結晶の平坦性が電子速度に与える影響の4つの例を取り上げ,そのメカニズムを解明した結果について解説を行う.
著者
関連論文
- GaN電子素子特性に結晶欠陥が与える影響(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- C-10-12 傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧に関する理論解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 多段フィールドプレートAlGaN/GaN-HEMTの最適設計(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-11 2層絶縁膜を有するAlGaN/GaNダイオードの理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-2 2層金属埋め込み構造を有するGaNショットキーダイオードのオン電圧とリーク電流に関する理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-4 傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの最適設計と耐圧に関する理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- p-GaNショットキー接触のI-V,G-V特性 : キャリア濃度,金属仕事関数依存性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- C-10-11 AlInN/InGaN/AlInNダブルへテロ接合FETの高周波特性解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-9 AlGaN/GaNへテロ接合における接触抵抗低減に関する理論検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- p-GaNショットキー接触のI-V, C-V特性 : 金属仕事関数依存性
- AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-14 InGaNチャネルをもつダブルヘテロ接合FETの高周波特性解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- p-GaNショットキー接触のI-V, C-V特性 : キャリア濃度, 金属仕事関数依存性
- p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性