AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に関して、2次元アンサンブルモンテカルロシミュレーションを用いて理論解析を行った。傾斜フィールドプレートは、チャネル内の最大電界強度を最小化するのに有効であることが確認された。デバイスパラメータを関数として、耐圧の経験式を導出した。チャネル内での絶縁破壊だけでなく絶縁膜での絶縁破壊にも配慮した電界分布の解析を行った。優れた耐圧特性を得るためには、Al_2O_3のようなワイドバンドギャップかつ高い比誘電率を有する材料を絶縁膜に用いることが望ましいという結果が得られた。フィールドプレート長5μmの傾斜フィールドプレートデバイスに対して最大3000V近い耐圧が予測される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-20
著者
-
葛原 正明
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学
-
葛原 正明
福井大学大学院工学研究科
-
酒井 亮輔
福井大学大学院工学研究科
-
岡井 智隆
福井大学大学院工学研究科
-
塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科
-
塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
-
葛原 正明
福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻
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