p-GaNショットキー接触のI-V,G-V特性 : キャリア濃度,金属仕事関数依存性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
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概要
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4種類のMgドーピング濃度の異なるp-GaN上に10種類の電極金属を用いてショットキー接触を形成し、I-V、C-V特性からショットキー障壁高さ(qφ_B)のキャリア濃度(P)、及び金属仕事関数依存性を評価した。Pを3.8x10^<18>cm^<-3>から6x10^<16>cm^<-3>に低下することにより、qφ_Bは1eVから2.2eVに増加し、Pが10^<16>cm^<-3>台の低い値においても強い依存性が得られた。10種の電極金属において、I-V特性では1.6eV以上、C-V特性では約2eVの高いqφ_Bが得られた。I-V、C-V特性の金属仕事関数依存性から求めた傾きは、それぞれ+0.28、-0.12の小さい依存性であった。金属/p-GaN界面において強いフェルミー準位ピニングが起きていると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-06
著者
-
葛原 正明
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学
-
葛原 正明
福井大学大学院工学研究科
-
塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科
-
福島 慶広
福井大学大学院工学研究科
-
荻須 啓太
福井大学大学院工学研究科
-
塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
-
葛原 正明
福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻
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