C-10-2 傾斜フィールドプレートAlGaN/GaN HEMTの耐圧解析 : 2層絶縁膜の効果(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-09-01
著者
-
葛原 正明
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学
-
葛原 正明
福井大学大学院工学研究科
-
酒井 亮輔
福井大学大学院工学研究科
-
児玉 和樹
福井大学大学院工学研究科
-
畑野 舞子
福井大学大学院工学研究科
-
葛原 正明
福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻
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