窒化物半導体トランジスタの現状と課題(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
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概要
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本論文では, 窒化物半導体へテロ接合を用いた電界効果トランジスタ(FET)のデバイス構造と動作原理の基本を解説した後, 現在までに達成されたトランジスタ最高性能のいくつかを紹介する. 次いで, 現在開発中の窒化物半導体トランジスタが有するいくつかの未解決課題について議論する. 最後に, 窒化物半導体に残された新しい展開と期待について, デバイスと回路の両面から論じる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-02-22
著者
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