酒井 亮輔 | 福井大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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葛原 正明
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学
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葛原 正明
福井大学大学院工学研究科
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酒井 亮輔
福井大学大学院工学研究科
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葛原 正明
福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
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西田 猛利
福井大学大学院工学研究科
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岡井 智隆
福井大学大学院工学研究科
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児玉 和樹
福井大学大学院工学研究科
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畑野 舞子
福井大学大学院工学研究科
著作論文
- C-10-12 傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧に関する理論解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 多段フィールドプレートAlGaN/GaN-HEMTの最適設計(C-10.電子デバイス,一般講演)
- AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-4 傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの最適設計と耐圧に関する理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-2 傾斜フィールドプレートAlGaN/GaN HEMTの耐圧解析 : 2層絶縁膜の効果(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)