荒木 賀行 | NTTアドバンスドテクノロジ
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概要
関連著者
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荒木 賀行
NTTアドバンスドテクノロジ
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科
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福島 慶広
福井大学大学院工学研究科
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荻須 啓太
福井大学大学院工学研究科
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入戸野 巧
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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横浜 秀雄
NTTアドバンスドテクノロジ
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日向 文明
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
著作論文
- MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 分光エリプソメトリー及びX線回折によるInGaP/InGaAs HFET構造の非破壊評価
- 分光エリプソメトリー及びX線回折によるInGaP/InGaAs HFET構造の非破壊評価
- GaAs,InP系エピ結晶と結晶評価技術 (特集 化合物半導体の可能性を再点検する)
- MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性