近岡 大成 | 福井大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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葛原 正明
福井大学大学院工学研究科
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近岡 大成
福井大学大学院工学研究科
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葛原 正明
福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻
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作野 圭一
シャープ株式会社
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矢船 憲成
金属系材料研究開発センター:シャープ株式会社
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渡邊 史直
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
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矢船 憲成
財団法人金属系材料研究開発センター
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永森 基
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
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近岡 大成
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
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葛原 正明
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
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作野 圭一
シャープ
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葛原 正明
福井大学工学研究科システム設計工学専攻
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葛原 正明
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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秋田 勝史
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科
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高桑 陽一
福井大学大学院工学研究科
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秋田 勝史
住友電気工業株式会社
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橋本 信
住友電気工業株式会社
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畑野 舞子
福井大学大学院工学研究科
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國塩 直樹
福井大学大学院工学研究科
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山崎 潤
福井大学大学院工学研究科
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MAKHZANI ZULHILMI
福井大学大学院工学研究科
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矢船 憲成
金属系材料研究開発センター
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山本 喜之
住友電気工業株式会社
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塩島 謙次
福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
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山本 喜之
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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秋田 勝史
住友電気工業
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橋本 信
住友電気工業
著作論文
- AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-9 AlGaN/GaNへテロ接合における接触抵抗低減に関する理論検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-2 AlN基板上AlGaNチャネルHEMTの高温特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)