徳田 博邦 | 福井大学大学院工学研究科

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概要

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関連著者

• 徳田 博邦

  福井大学工学研究科電気・電子工学専攻

• 徳田 博邦

  福井大学大学院工学研究科

• 葛原 正明

  福井大学大学院工学研究科

• 葛原 正明

  福井大学 大学院工学研究科 電気・電子工学専攻

• 徳田 博邦

  福井大学工学研究科システム設計工学専攻

• 葛原 正明

  福井大学工学研究科システム設計工学専攻

• 葛原 正明

  福井大学工学研究科電気・電子工学専攻

• 畑野 舞子

  福井大学大学院工学研究科

• 畑野 舞子

  福井大学工学研究科システム設計工学専攻

• 葛原 正明

  福井大学大学院工学研究科電気・電子工学

• 児玉 和樹

  福井大学大学院工学研究科

• 山崎 潤

  福井大学大学院工学研究科

• 矢船 憲成

  金属系材料研究開発センター:シャープ株式会社

• 山本 喜之

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 秋田 勝史

  住友電気工業

• 橋本 信

  住友電気工業

• 山崎 潤

  福井大学工学研究科システム設計工学専攻

• 矢船 憲成

  シャープ株式会社

• 向野 美郷

  福井大学工学研究科電気・電子工学専攻

• 山田 直樹

  福井大学工学研究科電気・電子工学専攻

• 木水 拓也

  福井大学大学院工学研究科

• 内藤 佑介

  福井大学大学院工学研究科

• 谷口 裕哉

  福井大学工学研究科システム設計工学専攻

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著作論文

• リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETの電気的特性評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• C-10-17 ウルツ鉱構造GaNの衝突イオン化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-16 AlGaN/GaN HEMTにおける電荷制御モデル(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• フルバンドモデルに基づくAlGaN/GaN HEMTの衝突イオン化の理論検討(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• AlGaN/GaN MIS HEMTの直流特性に与える熱処理の影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

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