AlGaN/GaN MIS HEMTの直流特性に与える熱処理の影響 (電子デバイス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 電子情報通信学会の論文
• 2012-07-26

著者

• 徳田 博邦

  福井大学工学研究科電気・電子工学専攻

関連論文

• リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETの電気的特性評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• C-10-17 ウルツ鉱構造GaNの衝突イオン化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 電気学会調査専門委員会「ミリ波技術とそのインテグレイションと展開」活動概要
• 電気学会調査専門委員会 : ミリ波技術とそのインテグレイションと展開
• 電気学会調査専門委員会 : ミリ波技術とそのインテグレイションと展開活動概要
• C-10-16 AlGaN/GaN HEMTにおける電荷制御モデル(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• AlGaN/GaN MIS HEMTの直流特性に与える熱処理の影響 (電子デバイス)
• フルバンドモデルに基づくAlGaN/GaN HEMTの衝突イオン化の理論検討 (電子デバイス)
• AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• フルバンドモデルに基づくAlGaN/GaN HEMTの衝突イオン化の理論検討(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• AlGaN/GaN MIS HEMTの直流特性に与える熱処理の影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク