AlGaN/GaNと金属との反応による二次元電子ガス濃度と移動度の増加(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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AlGaN/GaNヘテロ接合にTi/Al、Ti/Au、V/Au、Ni/Auを蒸着し、2DEG電子濃度(n_s)と移動度(μ)の温度依存性を調べた。n_sは温度の増加とともにある温度で急激な増加を示し、μはn_sが増加するその温度でhumpを示した。これは、下地金属(Ti、V、Ni)とAlGaN層との反応が始まることに対応している。熱処理後の室温でのn_sはTi/Alでは1桁以上増加し、またμも70%以上増加した。一方他の金属ではn_s、μともにほとんど増加が見られなかった。この結果はn_s、μの増加においてAlが重要な役割をはたしていることを示している。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-08-01
著者
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