HBTにおける自己発熱の補償およびその解析
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概要
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HBTにおける自己発熱補償法の提案および検証を行い、補償のメカニズムを解析した。HBTのベース・バイアス回路に特定の値の抵抗を挿入することにより、HBTの直流、パルス特性における自己発熱効果の補償が観測され、その補償がHBT内部帰還の中和の結果であることを定量的に説明し、HBTの物理パラメータから所望の補償抵抗値を求める解析式も導いた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-11-18
著者
-
佐藤 浩哉
シャープ(株)技術本部デバイス技術研究所
-
佐藤 浩哉
シャープ(株)
-
天野 義久
シャープ(株)
-
天野 義久
京セラ
-
長谷川 隆生
シャープ株式会社モバイル液晶事業本部
-
松本 信之
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
朱 雨
シャープ(株)基盤技術研究所
-
トワイナム J.
シャープ(株)基盤技術研究所
-
矢倉 基次
シャープ(株)基盤技術研究所
-
長谷川 正智
シャープ(株)基盤技術研究所
-
長谷川 隆生
シャープ(株)基盤技術研究所
-
Eguchi Y.
Advanced Technology Laboratories, SHARP Corporation
-
末松 英治
シャープ(株)基盤技術研究所
-
作野 圭一
シャープ(株)基盤技術研究所
-
松本 信之
シャープ(株)基盤技術研究所
-
橋爪 信郎
シャープ(株)基盤技術研究所
-
作野 圭一
シャープ
-
矢倉 基次
シャープ株式会社デバイス技術研究所
-
長谷川 正智
シャープ(株)
-
末松 英冶
シャープ株式会社デバイス技術研究所
-
末松 英治
シャープ株式会社
-
朱 雨
シャープ株式会社基盤技術研究所
-
末松 英治
シャープ(株)
-
江口 芳仁
Advanced Technology Laboratories Sharp Corporation
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