プラズマCVD法によるダイヤモンド単結晶成長(<小特集>バルク成長分科会特集-機能性材料ダイヤモンド-)
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概要
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ダイヤモンド単結晶の均質な成長のためにプラズマ分布を改善した成長装置を開発し,大型単結晶成長のための化学的気相成長(CVD)技術を確立した.電磁界解析によってマイクロ波プラズマCVD法で直径20mm以上の均一なプラズマ領域を得た.この装置を用いてモザイク状に配置したIb型ダイヤモンド種結晶上に16mm角のホモエピタキシャル成長に成功した.100時間成長の後にエピタキシャル層の厚さは1mmに達し,1枚の板状になったモザイク状ダイヤモンド結晶を得た.また,単一の種結晶から成長することで最大10mm径のダイヤモンド単結晶を得ることができた.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-11-30
著者
-
今井 貴浩
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
山本 喜之
住友電気工業株式会社
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今井 貴浩
住友電気工業 半導体研
-
目黒 貴一
住友電気工業(株)半導体研究所
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山本 喜之
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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今井 貴浩
住友電気工業(株)半導体研究所
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