ダイヤモンド電子放出素子の開発 : n型エミッタへの展開(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
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概要
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これまで我々はダイヤモンドの微細先端をもつTipアレイを均一に加工する技術を開発し、均一な電子放出を得て、大電流を得るダイヤモンド電子放出素子を検討してきた。均一なTipをもつ素子から歩留まりよく電子放出特性を得るためには、大面積の基板を利用することが一つの重要なポイントであった。しかしながら、電子放出特性の良好なn型エミッタを作製するためには(111)単結晶基板が必要であり、大面積基板を用意することが困難であった。今回は単結晶(111)基板と多結晶の複合基板を開発し、この問題を解決した。最終的に1mm^2の面積から総計約1103mAの放出電流を得ることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-07-27
著者
-
今井 貴浩
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
山本 喜之
住友電気工業株式会社
-
今井 貴浩
住友電気工業 半導体研
-
西林 良樹
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
辰巳 夏生
住友電気工業(株)伊丹研究所
-
難波 暁彦
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
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山本 喜之
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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辰巳 夏生
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
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今井 貴浩
住友電気工業(株)半導体研究所
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