低消費電力2V動作Siバイポーラ直交変調器
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年、PHS等において、携帯機の経済化、小型化、低消費電力化に対する要求が急速に高まっている。RF帯での直接直交変調はIFフィルターの省略により小型化、経済化を可能にする。前回、我々はこの方式の電源電圧の低下を検討し、2Vで動作可能な2GHz帯Siバイポーラ直交変調器を報告した。今回、高性能Siバイポーラプロセス、SST-1C[2](f_T=36GHz)を用いて、一層の低電力化を図り、32mWと前回の約1/2の低電力化を実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
関連論文
- 耐熱ゲートInGaP/GaAs MESFETの製作技術
- 2V,2GHz,低電力DDSチップセット
- 2V、2GHz、低電力DDSチップセット
- 高速無線アクセス用シリコンLSIの開発
- 2V,10bit低電力ビデオ帯D/A変換器
- パーソナル通信RF回路のLSI技術
- パーソナル通信RF-LSIのアーキテクチャと回路技術
- 低消費電力2V動作Siバイポーラ直交変調器
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
- 埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTの作製と評価
- 2層構造WSiN電極によるGaAsショットキー接触の耐熱性の向上
- 高融点金属/p-, n-GaN接触の電気的特性と熱的安定性
- 高速無線アクセス用GHz帯IF Siチップセットと誘電体ロールオフフィルタ
- 高速無線アクセス用GHz帯IF Siチップセットと誘電体ロールオフフィルタ
- 高速無線アクセス用GHz帯IF Siチップセットと誘電体ロールオフフィルタ