高融点金属/p-, n-GaN接触の電気的特性と熱的安定性

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概要

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• III-V化合物半導体に対して高い耐熱性を持つ電極を形成する高融点金属をp形、及びn形GaN上に堆積し、電極の電気的特性、耐熱性をI-V法により評価した。MOCVD法でGaN(n, p=10^<17>cm^<-3>)を成長し、厚さ約1000ÅのW, Nb、又はWSiNをスパッタ堆積した。N_2雰囲気中で800℃まで、10分間の等時間アニールを行なった。熱処理前、W及びNb電極はn-GaNに対しては整流性、p-GaNに対してはオーミックに近い特性を示した。一方、WSiNはこれらの電極とは反対に、n形に対してオーミック、p形に対して整流性を示した。W及びWSiN電極の劣化温度は700℃、Nb電極のそれは300℃であった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-07-22

著者

• 塩島 謙次

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• Dupuis Russ

  The University Of Texas At Austin Microelectronics Research Center

• Woodall Jerry

  School Of Electrical And Computer Engineering Purdue University

• Dupuis Russ

  Microelectronics Research Center The University Of Texas At Austin

• McInturff David

  School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University

• Grudowski Paul

  Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin

• Eiting Christopher

  Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin

• Eiting Christopher

  Microelectronics Research Center The University Of Texas At Austin

• Mcinturff David

  School Of Electrical And Computer Engineering Purdue University

• Grudowski Paul

  Microelectronics Research Center The University Of Texas At Austin

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