ヘテロ成長InP/Siの結晶性 : その場エッチングによるエッチピット密度
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概要
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In situ measurements were made of the etch pit density of InP/Si at the growth temperature using a PH3-HCI vapor phase etching method. It was found that the high dislocation density in InP/Si is caused by thermal stress.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-07-01
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